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title: "长光：公司在光互联论坛演讲的内容大超预期 ①EML：推出国内首款200G PAM4 EML芯片，26-27年推出400G EML； ②CW：26年推出200mW"
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# 长光：公司在光互联论坛演讲的内容大超预期 ①EML：推出国内首款200G PAM4 EML芯片，26-27年推出400G EML； ②CW：26年推出200mW

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## 正文

长光：公司在光互联论坛演讲的内容大超预期

①EML：推出国内首款200G PAM4 EML芯片，26-27年推出400G EML；

②CW：26年推出200mW CW激光器，27年拓展500mW以上高功率产品。

③产能：27年初光通信芯片月产能超1千万颗（对应27年总理论产能超1.2亿颗）。

④行业供需：供不应求，国内高速光芯片国产化率不足10%，国产替代加速。

--长光覆盖VCSEL、PIN/PD、EML、CW激光器，同时布局泵浦激光器、薄膜铌酸锂、硅光芯片制造等环节，公司布局是光芯片里最全面的，客户导入顺利，产能充足，业绩弹性很高，高端产品进展超预期！

## 总体总结

主题正文
1. 长光：公司在光互联论坛演讲的内容大超预期
2. ①EML：推出国内首款200G PAM4 EML芯片，26-27年推出400G EML；
3. ②CW：26年推出200mW CW激光器，27年拓展500mW以上高功率产品。
4. ③产能：27年初光通信芯片月产能超1千万颗（对应27年总理论产能超1.2亿颗）。
5. ④行业供需：供不应求，国内高速光芯片国产化率不足10%，国产替代加速。
6. --长光覆盖VCSEL、PIN/PD、EML、CW激光器，同时布局泵浦激光器、薄膜铌酸锂、硅光芯片制造等环节，公司布局是光芯片里最全面的，客户导入顺利，产能充足，业绩弹性很高，高端产品进展超预期！