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title: "- 认为DDR4供需缺口将于2026年下半年扩大至19-20%，推动价格上涨。上调华邦电子、南亚科技至超配评级，并大幅上修盈利预测。SLC NAND和SiCap"
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# - 认为DDR4供需缺口将于2026年下半年扩大至19-20%，推动价格上涨。上调华邦电子、南亚科技至超配评级，并大幅上修盈利预测。SLC NAND和SiCap

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## 正文

- 认为DDR4供需缺口将于2026年下半年扩大至19-20%，推动价格上涨。上调华邦电子、南亚科技至超配评级，并大幅上修盈利预测。SLC NAND和SiCap业务有望成为重新评级催化剂。NOR闪存也因成熟制程紧缺而趋紧。

摩根士丹利发布研报，看好传统存储（DDR4、NOR、SLC NAND）的复苏行情。核心逻辑在于供给端收缩叠加需求端增长，导致供需缺口扩大，推动价格上涨。报告上调华邦电子（Winbond）、南亚科技（Nanya）评级至超配（Overweight），并大幅上修其2026-2028年每股盈利预测。同时，报告认为SLC NAND和硅电容（SiCap）业务将成为新的增长点，并看好兆易创新（GigaDevice）。

供给与需求的双重推动
：美光（Micron）近期宣布调整设备，将部分产能从台湾转移至美国，导致未来2-4个季度内DDR4供给减少。同时，SK海力士（Hynix）在无锡的D4/LPD4产能也将进一步向DDR5后段产能转换，减少DDR4供给。
：来自企业级SSD和云数据中心的DDR4需求持续增强。CPU服务器需求上升，预计将推动企业级需求增长至2027年。
：摩根士丹利的供需模型显示，2026年下半年DDR4的供需缺口将从之前预测的14%扩大至19-20%，2027-2028年维持在18-20%的缺口。这意味着DDR4价格将延续上涨趋势，预计2026年第三季度价格环比上涨约20%。
新的增长动力：SiCap与SLC NAND
：作为利基型存储厂商的新增长驱动，SiCap业务正与三星电机（SEMCO）等客户推进代工合作。
：随着数据中心对高读写速度的需求提升，SLC NAND（单层单元闪存）有望在服务器领域获得采用。大中华区供应商如兆易创新、华邦电子和旺宏电子均具备供应能力。报告认为这可能成为DRAM之外的另一个重新评级因子。
各公司盈利预测调整
：上调2026/2027/2028年EPS预测23%/65%/94%，反映DDR4定价强势以及SiCap和SLC NAND的机会。
：上调2026/2027/2028年EPS预测15%/29%/33%，反映DDR4定价强势，同时看好其与服务器和企业级SSD客户的长期协议（LTA），以及2026年Q3开始新增的5kwpm DDR5产能。
：上调2026/2027年EPS预测58%/60%，反映DDR4定价强势和SLC NAND带来的更大市场空间。
NOR闪存市场
NOR闪存也因成熟制程代工厂产能紧缺而变得更加紧俏，价格上调趋势有望贯穿2026年。

华邦电子（Winbond，2344.TW）
：从“等权重”上调至“超配”
：从新台币100元上调至
：采用市净率（P/B）估值法，目标价对应2026年预测每股净资产（BVPS）的5.5倍（此前为2.7倍），反映DDR4定价强势和SLC NAND/SiCap的重新评级潜力。
：牛市目标价新台币264元（6.5倍2026年BVPS），熊市目标价新台币91元（2.2倍2026年BVPS）。
南亚科技（Nanya Tech，2408.TW）
：从“等权重”上调至“超配”
：从新台币278元上调至
：采用P/B估值法，目标价对应2026/2027/2028年BVPS的3.22倍/1.88倍/1.53倍，高于2015年以来均值。主要受益于DDR4供给驱动型上升周期。
：牛市目标价新台币805元（6.83倍2026年BVPS），熊市目标价新台币210元（1.78倍2026年BVPS）。
兆易创新（GigaDevice，603986.SS）
：未明确调整评级（维持“超配”），目标价从人民币348元大幅上调至
：采用剩余收益模型（Residual Income Model），关键假设：权益成本8.9%（β=1.1，无风险利率2%，风险溢价6%），派息率40%，中期增长率16.4%，终值增长率3.0%。新目标价对应2026年预测PE约46倍，略高于2016年以来历史平均40倍。
：牛市目标价人民币1,016元（79倍2026年EPS），熊市目标价人民币427元（33倍2026年EPS）。

：DDR4/ NOR闪存需求弱于预期，导致价格下跌；供给端恢复速度快于预期，导致供需缺口收窄；SLC NAND或SiCap的研发或客户拓展慢于预期；来自中国竞争对手（如长鑫存储CXMT）的技术竞争加剧，可能削弱价格弹性。
：DDR4价格上涨幅度超出预期；NOR闪存因产能紧缺出现更大幅度的涨价；SLC NAND在数据中心的采用速度快于预期；企业级SSD和服务器需求持续强劲，推动需求侧超预期。
：华邦电子的逻辑业务面临逆风；南亚科技的先进制程（1a/lb nm）爬坡进度可能慢于预期；兆易创新的MCU业务面临国内外厂商的竞争压力。

## 总体总结

主题正文
1. 核心逻辑在于供给端收缩叠加需求端增长，导致供需缺口扩大，推动价格上涨。
2. CPU服务器需求上升，预计将推动企业级需求增长至2027年。
3. ：摩根士丹利的供需模型显示，2026年下半年DDR4的供需缺口将从之前预测的14%扩大至19-20%，2027-2028年维持在18-20%的缺口。
4. 这意味着DDR4价格将延续上涨趋势，预计2026年第三季度价格环比上涨约20%。
5. ：上调2026/2027/2028年EPS预测23%/65%/94%，反映DDR4定价强势以及SiCap和SLC NAND的机会。
6. ：上调2026/2027/2028年EPS预测15%/29%/33%，反映DDR4定价强势，同时看好其与服务器和企业级SSD客户的长期协议（LTA），以及2026年Q3开始新增的5kwpm DDR5产能。
7. ：采用市净率（P/B）估值法，目标价对应2026年预测每股净资产（BVPS）的5.5倍（此前为2.7倍），反映DDR4定价强势和SLC NAND/SiCap的重新评级潜力。
8. ：采用剩余收益模型（Residual Income Model），关键假设：权益成本8.9%（β=1.1，无风险利率2%，风险溢价6%），派息率40%，中期增长率16.4%，终值增长率3.0%。