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# SST成为行业推进共识，关注SiC、高频变、电容器三大核心方向 ➡多家公司宣布进军SST或发布产品，已成燎原之势 前日海博思创宣布在内蒙算电协同项目采用SST方

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## 正文

SST成为行业推进共识，关注SiC、高频变、电容器三大核心方向

➡多家公司宣布进军SST或发布产品，已成燎原之势

前日海博思创宣布在内蒙算电协同项目采用SST方案，此前多家企业推出SST产品或宣布进行研发，SST已成确定性最高的柜外电源发展方向。必要性在于：（1）数据中心：一步10kV/35kV直降800V直流，节约宝贵的灰区空间，让给计算机柜；（2）充电站：减少10kV配变环节，降低成本。

➡可靠性仍是制约SST在数据中心大规模应用的主要痛点：

SST的平均无故障时间（MTBF）目前仅约1-2万小时，较UPS低一个数量级，因此应用在数据中心仍有一定障碍。而充电站中应用的核心在降本，因此我们能看到两个应用场景中的SST价格相差悬殊。

➡核心零部件制约SST可靠性，关注SiC半导体、高频隔离变、电容器三大核心方向。

SiC功率半导体： 担负输入级高压AC/DC任务，成本占比在20%以上，目前国内企业主要采用英飞凌产品，预计后续放量后国产替代空间较大。 可靠性取决于SiC功率模块冗余度，因此在数据中心SST上往采用多冗余方式配置。

高频隔离变：成本占比超过SiC，在20-30%，担负高频降压、绝缘隔离作用。其中 非晶合金 是解决高频损耗问题的主要材料，替代传统硅钢；而高频交流电下绝缘材料局放损伤远高于工频，需要对 环氧树脂绝缘材料 提出更高要求。 高频隔离变是SST从10kV向35kV电压等级进化的核心环节，门槛壁垒高。

电容器： 主要给输出直流进行滤波，是 电能质量提升的核心环节。 数据中心对直流纹波容忍度低，需增配电容器以提升电能质量

➡投资建议：
SiC、高频隔离变、电容器是解决目前SST可靠性、高压化、电能质量等几大问题的核心零部件，建议关注SiC（天岳、新洁能、扬杰、斯达等）；高频隔离变及非晶磁材（京泉华、可立克、云路股份等）；电容器（江海、法拉等）。

## 总体总结

主题正文
1. SST成为行业推进共识，关注SiC、高频变、电容器三大核心方向
2. SST的平均无故障时间（MTBF）目前仅约1-2万小时，较UPS低一个数量级，因此应用在数据中心仍有一定障碍。
3. 而充电站中应用的核心在降本，因此我们能看到两个应用场景中的SST价格相差悬殊。
4. ➡核心零部件制约SST可靠性，关注SiC半导体、高频隔离变、电容器三大核心方向。
5. SiC功率半导体： 担负输入级高压AC/DC任务，成本占比在20%以上，目前国内企业主要采用英飞凌产品，预计后续放量后国产替代空间较大。
6. 可靠性取决于SiC功率模块冗余度，因此在数据中心SST上往采用多冗余方式配置。
7. 高频隔离变是SST从10kV向35kV电压等级进化的核心环节，门槛壁垒高。
8. SiC、高频隔离变、电容器是解决目前SST可靠性、高压化、电能质量等几大问题的核心零部件，建议关注SiC（天岳、新洁能、扬杰、斯达等）；