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title: "📌 🤝作为亚洲 Communacopia + 科技大会的一部分，我们于 5 月 21 日邀请三星电子与投资者举行了线上小组会议。核心结论如下： 重申对存储芯片供"
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# 📌 🤝作为亚洲 Communacopia + 科技大会的一部分，我们于 5 月 21 日邀请三星电子与投资者举行了线上小组会议。核心结论如下： 重申对存储芯片供

- 序号：322
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## 正文

📌

🤝作为亚洲 Communacopia + 科技大会的一部分，我们于 5 月 21 日邀请三星电子与投资者举行了线上小组会议。核心结论如下：
重申对存储芯片供需和价格的乐观展望。
长期协议（LTA）将提供可持续的中长期利润率。
重申对 HBM4 的信心。
P4 计划可能会加剧传统存储芯片的短缺。
今年资本支出更高，包括大量的基础设施工程投入。
✅我们维持对三星电子的 “买入” 评级。
📊
🔹：320,000 韩元，当前股价 299,500 韩元，潜在上涨空间 6.8%。
🔹：245,000 韩元，当前股价 187,800 韩元，潜在上涨空间 30.5%。
🔹：1,984.1 万亿韩元（约 1.3 万亿美元）。
🔹：1,775.8 万亿韩元（约 1.2 万亿美元）。
🔹：6.6 万亿韩元（约 45 亿美元）。
🔹：韩国科技行业。
🔹：第 3 位。
🔹：净负债和企业价值包含租赁。
💡
1. 
📈公司重申了对存储芯片供需关系的积极看法，预计存储短缺将在今年持续，甚至在明年加剧。
💬针对今年，三星电子评论称，预计行业 DRAM 供应增长将低于其对 DRAM 位元需求增长的预期，因此预计价格在 2026 年下半年将呈现上涨趋势。
✅我们的观点与三星电子基本一致，预计今年行业 DRAM 位元需求将增长 25%，并预计传统 DRAM 价格在 2026 年下半年将呈现上涨趋势（高盛预测：2026 年第二季度环比增长 10%-15% 左右，第四季度环比增长 5%-9% 左右）。
2. 
🤝公司表示正与客户讨论设定灵活的 LTA 价格范围，但指出底价将显著高于以往合同，并预计更有利的合同结构将提供可持续的中长期利润率。
📊虽然三星电子目前仅签署了少量 LTA，但公司表示多家客户正积极寻求签署 LTA，且更倾向于长期协议。
3. 
✅公司重申了其 HBM 指引：HBM4 将在 2026 年第三季度实现切换，且 HBM4 将占 HBM 销售额的一半左右，并对确保最高级 SKU HBM4 的主要供应商地位充满信心，预计该产品相比其他 HBM 产品具有价格溢价。
📈对于明年，公司预计 HBM 与常规 DRAM 利润率之间的巨大差距将缩小，因为去年设定的今年 HBM 价格尚未充分反映出严重的存储芯片短缺情况。
💡我们还认为，当前通用 DRAM 价格的强势将成为明年 HBM 定价的上行驱动力，并预计明年 HBM 价格将同比增长 15% 左右，考虑到 HBM 与通用 DRAM 价格间的巨大价差，HBM 价格仍有显著的上行空间。
4. 
🏭三星电子表示，由于公司预期明年 HBM 需求将强劲增长，计划将 P4 洁净室的大部分空间分配给基于 1c 工艺的 HBM4 和 HBM4E。
📈鉴于 P4 实际上是三星电子中长期唯一可以大幅增加晶圆产能的区域，我们认为三星电子的 P4 计划可能会加剧通用存储器的短缺。
5. 
：公司表示今年将大幅增加存储器资本支出，主要用于 DRAM/HBM，并表示大量资金将用于 P4 洁净室建设和 P5 动工等基础设施工程。我们预计三星电子今年的存储器资本支出将同比增长 28%，达到 52 万亿韩元。
：公司表示还将大幅增加泰勒（Taylor）工厂的代工资本支出。值得注意的是，公司在代工资本支出指引中表示，将于 2027 年开始 2nm 量产。我们预计三星电子今年的代工资本支出将同比增长 129%，达到 16 万亿韩元。

## 总体总结

主题正文
1. 💬针对今年，三星电子评论称，预计行业 DRAM 供应增长将低于其对 DRAM 位元需求增长的预期，因此预计价格在 2026 年下半年将呈现上涨趋势。
2. ✅我们的观点与三星电子基本一致，预计今年行业 DRAM 位元需求将增长 25%，并预计传统 DRAM 价格在 2026 年下半年将呈现上涨趋势（高盛预测：2026 年第二季度环比增长 10%-15% 左右，第四季度环比增长 5%-9% 左右）。
3. 🤝公司表示正与客户讨论设定灵活的 LTA 价格范围，但指出底价将显著高于以往合同，并预计更有利的合同结构将提供可持续的中长期利润率。
4. ✅公司重申了其 HBM 指引：HBM4 将在 2026 年第三季度实现切换，且 HBM4 将占 HBM 销售额的一半左右，并对确保最高级 SKU HBM4 的主要供应商地位充满信心，预计该产品相比其他 HBM 产品具有价格溢价。
5. 📈对于明年，公司预计 HBM 与常规 DRAM 利润率之间的巨大差距将缩小，因为去年设定的今年 HBM 价格尚未充分反映出严重的存储芯片短缺情况。
6. 💡我们还认为，当前通用 DRAM 价格的强势将成为明年 HBM 定价的上行驱动力，并预计明年 HBM 价格将同比增长 15% 左右，考虑到 HBM 与通用 DRAM 价格间的巨大价差，HBM 价格仍有显著的上行空间。
7. 🏭三星电子表示，由于公司预期明年 HBM 需求将强劲增长，计划将 P4 洁净室的大部分空间分配给基于 1c 工艺的 HBM4 和 HBM4E。
8. 我们预计三星电子今年的存储器资本支出将同比增长 28%，达到 52 万亿韩元。