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topic_id: 55522145544415844
created_at: 2026-05-15T09:04:05.719+0800
source: zsxq
type: topic
cssclasses: zsxq-vault
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# 📈800V 高压平台加速渗透，碳化硅板块底部崛起，这些底部碳化硅预期差标的！-0515 碳化硅主升前夜，预期差标的价值重估 【机科股份】北交所碳化硅设备黑马，国

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📈800V 高压平台加速渗透，碳化硅板块底部崛起，这些底部碳化硅预期差标的！-0515

碳化硅主升前夜，预期差标的价值重估

【机科股份】北交所碳化硅设备黑马，国内率先实现 12 英寸碳化硅衬底低损伤超精密磨削加工技术及装备量产，厚度均匀性控制在 ±1μm 以内，填补国内空白。

【同惠电子】碳化硅测试设备龙头，覆盖 3300V 碳化硅 MOSFET 全参数测试需求Tonghui同惠电子。TH51X 系列 CV 特性分析仪填补国内高压动态测试空白，已在头部 SiC/GaN 生产线批量应用。

【艾为电子】碳化硅驱动芯片隐形冠军，子公司艾为电气突破碳化硅性能瓶颈，将使用电压从 950V 扩展至 1000V 以上，适配 800V 高压平台。

## 总体总结

主题正文
1. 📈800V 高压平台加速渗透，碳化硅板块底部崛起，这些底部碳化硅预期差标的！
2. 碳化硅主升前夜，预期差标的价值重估
3. 【机科股份】北交所碳化硅设备黑马，国内率先实现 12 英寸碳化硅衬底低损伤超精密磨削加工技术及装备量产，厚度均匀性控制在 ±1μm 以内，填补国内空白。
4. 【同惠电子】碳化硅测试设备龙头，覆盖 3300V 碳化硅 MOSFET 全参数测试需求Tonghui同惠电子。
5. TH51X 系列 CV 特性分析仪填补国内高压动态测试空白，已在头部 SiC/GaN 生产线批量应用。
6. 【艾为电子】碳化硅驱动芯片隐形冠军，子公司艾为电气突破碳化硅性能瓶颈，将使用电压从 950V 扩展至 1000V 以上，适配 800V 高压平台。