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title: "[红包]聚和材料：国内半导体最大弹性标的，深度受益存储链 空白掩膜版国产渗透率几乎为0。目前大陆空白掩模版全部为日本供应（信越化学+豪雅），国产半导体要求全链条"
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# [红包]聚和材料：国内半导体最大弹性标的，深度受益存储链 空白掩膜版国产渗透率几乎为0。目前大陆空白掩模版全部为日本供应（信越化学+豪雅），国产半导体要求全链条

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## 正文

[红包]聚和材料：国内半导体最大弹性标的，深度受益存储链

空白掩膜版国产渗透率几乎为0。目前大陆空白掩模版全部为日本供应（信越化学+豪雅），国产半导体要求全链条国产化率逐步提升，目前聚和材料在空白掩膜版市场的市占率=国产化率，在中国大陆验证导入的客户已经达到24家（在大陆全部的掩模版制造商均在验证中），中长期市占率具备40-50%的能见度。

需求端：国内空白掩膜版需求将成倍增加。
①存储芯片需求8倍增长：以NA­ND为例， 64层3D NA­ND需要60层掩膜版，128层3D Na­nd需要100-150层掩膜版，结合国内存储未来扩产规划，层数增加带来的整体需求量增加，中性预计为2倍。存储产品由2D转3D过程中，总曝光次数由5次提升到20次，PSM空白掩膜版寿命为3万次，对应光罩更换频率由6000片减少至1500片，空白掩膜版需求量增加4倍。
空白掩膜版需求量增长=单位掩膜版用量2倍 * 替换频率4倍=8倍。
②逻辑芯片需求5倍：成熟制程（如130nm至28nm）其掩膜层数相对较少，通常在30层左右。先进制程（如10nm）：掩膜层数约为80层。最先进制程（如7nm及以下）：在7nm工艺中，掩膜层数已达到80-100层。先进制程常采用多重曝光技术（如四重曝光），进一步增加掩膜的使用量。7nm工艺采用四重曝光时，总掩膜版用量可达320-400套；按照多重曝光占未来总先进制程50%预期，先进制程逻辑掩膜层数保守增加5倍。

价值感：高单价高毛利。空白掩膜板包括ARF PSM和KRF PSM（不包含低端产品），覆盖7-140nm制程，ARF PSM当前单价50,000-100,000元/片，KRF PSM单价7,000-10,000元/片，其中ARF PSM匹配SK D1y, D1z, 3D NA­ND等先进工艺产品。行业平均毛利在50%+，净利率平均35%。

## 总体总结

主题正文
1. 目前大陆空白掩模版全部为日本供应（信越化学+豪雅），国产半导体要求全链条国产化率逐步提升，目前聚和材料在空白掩膜版市场的市占率=国产化率，在中国大陆验证导入的客户已经达到24家（在大陆全部的掩模版制造商均在验证中），中长期市占率具备40-50%的能见度。
2. ①存储芯片需求8倍增长：以NA­ND为例， 64层3D NA­ND需要60层掩膜版，128层3D Na­nd需要100-150层掩膜版，结合国内存储未来扩产规划，层数增加带来的整体需求量增加，中性预计为2倍。
3. 存储产品由2D转3D过程中，总曝光次数由5次提升到20次，PSM空白掩膜版寿命为3万次，对应光罩更换频率由6000片减少至1500片，空白掩膜版需求量增加4倍。
4. 空白掩膜版需求量增长=单位掩膜版用量2倍 * 替换频率4倍=8倍。
5. ②逻辑芯片需求5倍：成熟制程（如130nm至28nm）其掩膜层数相对较少，通常在30层左右。
6. 最先进制程（如7nm及以下）：在7nm工艺中，掩膜层数已达到80-100层。
7. 按照多重曝光占未来总先进制程50%预期，先进制程逻辑掩膜层数保守增加5倍。
8. 空白掩膜板包括ARF PSM和KRF PSM（不包含低端产品），覆盖7-140nm制程，ARF PSM当前单价50,000-100,000元/片，KRF PSM单价7,000-10,000元/片，其中ARF PSM匹配SK D1y, D1z, 3D NA­ND等先进工艺产品。