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# - SK海力士2026年第一季度运营利润创历史新高，主要受AI需求驱动的内存价格上涨推动。公司正通过签订多年长期供应协议（LTA）和多样化内存产品（如LPDDR

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## 正文

- SK海力士2026年第一季度运营利润创历史新高，主要受AI需求驱动的内存价格上涨推动。公司正通过签订多年长期供应协议（LTA）和多样化内存产品（如LPDDR6、SoCAMM2、HBF、CXL）来延长AI内存周期并保持市场领导地位。花旗基于强劲的业绩和盈利可见性提升，重申对SK海力士的‘买入’评级，目标价170万韩元。

花旗（Citi）在本次对SK海力士（000660.KS）的季报回顾中，传递了非常积极的信号。报告的核心在于：，而SK海力士凭借其技术领先地位和前瞻性战略，不仅抓住了当前的价格上涨周期，更通过，旨在将这一景气周期延长并转化为持续的结构性优势。因此，花旗维持“买入”评级及170万韩元的目标价，认为公司盈利可见性高，股价仍有约39%的上涨空间。

1. 创纪录的一季度业绩：AI需求是核心驱动力
：SK海力士2026年第一季度运营利润（OP）达到37.6万亿韩元，环比增长96%，同比激增405%，创下历史新高。这一惊人增长主要源于。
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：出货量（Bit Growth）环比持平，但ASP环比大涨约65%。增长动力来自，以及产品组合向高价值的倾斜。
：出货量环比下降约10%，主要因高基数、向高附加值产品转移以及生产周期延长。但NAND ASP环比飙升约70%，抵消了出货量下滑的影响。
2. 前瞻指引：需求持续强劲，资本开支加大
：公司预计DRAM出货量将环比增长高个位数百分比（HSD%），受高容量服务器DRAM模块需求推动；NAND出货量预计环比增长中双位数百分比（mid-teen%），主要受拉动。
：为应对激增的KV Cache需求，公司将加速向321层NAND技术迁移，目标在2026年内将50%的国内NAND产能转为321层生产线。2026年资本支出将同比显著增加，用于M15x产能爬坡、龙仁工厂建设以及采购EUV等关键设备。
3. 行业趋势与公司战略：从“商品”到“定制化解决方案”
：报告指出，由于内存采购已成为客户的关键风险点，客户对多年期LTA的需求显著增加。尽管当前供应紧张限制了SK海力士满足所有LTA请求的能力，但这类协议。
：AI应用正在驱动“内存分层”趋势（如将KV Cache卸载到专用内存）。为保持领导地位，SK海力士正积极开发和多样化新产品组合，包括。这些产品旨在满足AI服务器等客户对高性能、定制化内存解决方案的特定需求。

：，维持不变。
：。
：采用，基于2026年预测EBITDA。
：参照全球代工龙头台积电（TSMC），给予7.2倍EV/EBITDA估值。这反映了花旗的观点——高端内存市场正从传统商品模式演变为更接近。
：应用过去内存上行周期初期的历史平均估值，即4.2倍12个月前瞻EV/EBITDA。
：基于当前股价1,223,000韩元，目标价隐含，加上股息，总预期回报为39.1%。

报告明确指出了可能阻碍股价达到目标价的下行风险：
：若宏观经济恶化或主要应用领域（如服务器、PC、手机）需求不及预期，可能导致DRAM需求转弱，价格承压。
：公司的增长假设部分依赖于强劲的KV Cache等新兴需求。若该需求增长放缓，或NAND市场竞争加剧，可能影响公司NAND业务的利润。
：内存行业与全球整体经济活动和消费电子需求高度相关。广泛的消费疲软将最终传导至半导体需求端。
注：本解读基于花旗（Citi）于2026年4月23日发布的研究报告。所有财务数据、预测及目标价均为花旗研究观点，投资决策需结合个人判断与最新市场信息。

## 总体总结

主题正文
1. - SK海力士2026年第一季度运营利润创历史新高，主要受AI需求驱动的内存价格上涨推动。
2. 公司正通过签订多年长期供应协议（LTA）和多样化内存产品（如LPDDR6、SoCAMM2、HBF、CXL）来延长AI内存周期并保持市场领导地位。
3. 报告的核心在于：，而SK海力士凭借其技术领先地位和前瞻性战略，不仅抓住了当前的价格上涨周期，更通过，旨在将这一景气周期延长并转化为持续的结构性优势。
4. ：SK海力士2026年第一季度运营利润（OP）达到37.6万亿韩元，环比增长96%，同比激增405%，创下历史新高。
5. ：公司预计DRAM出货量将环比增长高个位数百分比（HSD%），受高容量服务器DRAM模块需求推动；
6. NAND出货量预计环比增长中双位数百分比（mid-teen%），主要受拉动。
7. ：为应对激增的KV Cache需求，公司将加速向321层NAND技术迁移，目标在2026年内将50%的国内NAND产能转为321层生产线。
8. 若该需求增长放缓，或NAND市场竞争加剧，可能影响公司NAND业务的利润。
